特性：KDFOSLB1G（1Gbit）串行閃存支持標準串行外圍接口（SPI），并支持四路SPI和DTR

模式：串行時鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和復位#。四路輸入四輸出數(shù)據(jù)以664MBytes/s的速度傳輸，DTR四路輸入輸出數(shù)據(jù)以832MBytes/s的速度傳輸。在滿足軍級需求的情況下適合用于對存儲容量要求大的FPGA和處理器。

? 512M位串行閃存

- 64M字節(jié)

- 每個可編程頁面256字節(jié)

? 靈活的體系結構

- 32/64K字節(jié)統(tǒng)一塊

- 4K字節(jié)統(tǒng)一扇區(qū)

? 標準、Quad SPI、DTR,QPI 

- 標準SPI: SCLK, CS#, SI, SO,復位＃

- 四路SPI: SCLK, CS#, 1O0, 1O1, 1O2, 1O3,復位＃

- QPI: SCLK, CS#, 1O0, 1O1, 1O2, 1O3，復位＃

- SPI DTR（雙倍傳輸速率）讀取

- 3或4字節(jié)地址模式

? 低功耗  

- 16μA典型待機電流

- 2μA典型斷電電流

? 高速時鐘頻率

- 高達200MHz用于快速讀取

- 四路I/O數(shù)據(jù)傳輸速度高達532Mbits/s

- QPI模式數(shù)據(jù)傳輸速度高達532Mbits/s

- DTR四路1/O數(shù)據(jù)傳輸速度高達720MBits/s

? 高級安全功能

- 每個器件128位唯一ID

- 帶OTP鎖的4K字節(jié)安全寄存器

? 允許XIP（片上執(zhí)行）操作

- 高速讀取減少整體XiP指令獲取時間

- 使用Wrap的連續(xù)讀取進—步減少數(shù)據(jù)延遲以填滿SoC緩存

? 單電源電壓

- 全電壓范圍：2.7～3.6V

? 耐久性和數(shù)據(jù)保留

- 至少100000個編程／擦除周期

- 典型的數(shù)據(jù)保留期為20年

? 軟件／硬件寫保護

- 通過軟件對所有/部分內存進行寫保護

- 頂部/底部塊保護

? 快速編程／擦除速度

- 頁面編程時間：0.15ms典型值

- 扇區(qū)擦除時間：30ms典型值

- 塊擦除時間：0.14/0.22s典型值

- 芯片擦除時間：150s典型值

? 溫度范圍

- 軍溫級：-55℃～125℃

- 軍級(N1)：-55℃～125℃