概述：

一款容量8G的DDR4 SDRAM芯片，具備ODT、數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)、自刷新、以及TEN等功能。在-55℃ ~ +125℃溫度范圍均可進行工作，具有預(yù)充電，最大節(jié)能模式等特點。

特性：

?1G×8 8Gb容量

?電壓

- VDD=VDDQ=1.2V(1.14V to 1.26V)

- VPP=2.5V(2.375V to 2.75V)

?數(shù)據(jù)完整性

- 支持自動刷新和自刷新模式

- 內(nèi)部生產(chǎn)的數(shù)據(jù)輸入Vref

- 用于寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)掩碼（DM）

?可靠性與錯誤處理

- 支持命令地址（CA）奇偶校驗

- 支持連接測試模式（TEN）

- 支持hPPR和sPPR

- 持寫入循環(huán)冗余碼（CRC）

?節(jié)能高效

- 最大節(jié)能模式（MPSM)

- 支持低功耗自動自刷新模式（LPASR）

- 接口：1.2V偽開漏（POD）IO

- 可編程CAS延遲(CL)/可編程CAS寫延遲(CWL)

?DRAM訪問帶寬

- 16個Bank（×8），4個Bank群，每個群有4個Bank

- 8n位預(yù)取體系結(jié)構(gòu)

- 較小tRFC的精細粒度刷新2x、4x模式

- 突發(fā)長度（BL):8和4 Burst Chop（BC)

?信號完整性

- 可編程數(shù)據(jù)選通前導(dǎo)碼

- 降速模式

- 每個DRAM可尋址性（PDA）

- 系統(tǒng)兼容性的可配置DS

- 數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)（DBI)

- 通過ZQ引腳校準輸出驅(qū)動（RZQ:240ohm±1%）

- 差分時鐘和數(shù)據(jù)選通輸入（CK_t，CK_c；

DQS_t，DQS_c）

- On-Die端接（ODT）:支持 Nominal, Park and

Dynamic ODT

?異步重設(shè)以啟動

?預(yù)充電：每次突發(fā)訪問的自動預(yù)充電選項

?符合JEDEC JESD-79-4,符合RoHS

溫度范圍

- 軍溫級：-55℃～125℃

- 軍級(N1)：-55℃～125℃