概述：

快速的存儲速度、簡捷的字節讀寫模式、數據非易失性、億次以上的擦寫次數、超強抗輻射能力、可期待的技術迭代前景，量產版新型的獨立式非易失磁存儲

  本產品是一款新型非易失性磁隨機存儲器，產品容量為4Mbits支持SPI/QPI接口方式按字節讀寫數據。存儲器陣列采用STT-MRAM技術，存儲陣列中的數據將保持20年以上。

  廣泛用于工業數據集中存儲、智能儀表數據采集、物聯網產品數據存儲記錄。

? 容量

- 4M

? 功耗

 - 睡眠電流2μA（典型值）

- 待機電流2mA（典型值）

- 有功電流4.3mA（SPI 50MHz時的典型值）

? 快速SPI接口

- 高達50MHz時鐘頻率@SPI SDR

- 高達50MHz時鐘頻率@QPI SDR

- 支持標準SPI，四路SPI模式

- 不延遲寫入

- 支持SPI模式0和模式3

?可靠性

- 85℃時數據保存＞20年

- P/E周期達108（1億） 度范圍

? 單電壓操作

- 典型電壓：3.3V

- VCC=2.7~3.6V

? 數據保護

- 具有模式寄存器#1中的BP0、BP1的軟件保護模式

? 溫度范圍

- 軍溫級：-55℃～125℃

- 軍級(N1)：-55℃～125℃