概述：

  快速的存儲(chǔ)速度、簡捷的字節(jié)讀寫模式、數(shù)據(jù)非易失性、億次以上的擦寫次數(shù)、超強(qiáng)抗輻射能力、可期待的技術(shù)迭代前景，量產(chǎn)版新型的獨(dú)立式非易失磁存儲(chǔ)。

  本產(chǎn)品是一款新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，產(chǎn)品容量為16Mbits支持SPI/QPI接口方式按字節(jié)讀寫數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器陣列采用STT-MRAM技術(shù)，存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)將保持20年以上。

  廣泛用于工業(yè)數(shù)據(jù)集中存儲(chǔ)、智能儀表數(shù)據(jù)采集、物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品數(shù)據(jù)存儲(chǔ)記錄。

? 容量

- 16M

? 接口

- 可達(dá)133MHz時(shí)鐘頻率@SPI READ

- 高達(dá)66MHz時(shí)鐘頻率@DDR READ

- 支持標(biāo)準(zhǔn)SPI，四路SPI模式

- 不延遲寫入

- 支持SPI模式0和模式3

- 支持雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）讀取&寫入

? 單電壓操作

- 典型電壓：3.3V

? 數(shù)據(jù)保護(hù)

- 具有模式寄存器#1中的BP0、BP1的軟件保護(hù)模式

? 功耗

- 睡眠電流1μA（典型值）

- 待機(jī)電流100μA（典型值）

- 有功電流10mA

? 可靠性

- 85℃時(shí)數(shù)據(jù)保存＞10年

- P/E周期達(dá)108（1億）

? 溫度范圍

- 軍溫級：-55℃～125℃

- 軍級(N1)：-55℃～125℃